Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

氮化物宽带隙半导体材料与电子器件

物理学史

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出  版 社
出版时间
2020年06月30日
装      帧
平装
ISBN
9780367574369
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页      码
392
开      本
254 x 178 mm (7 x 10)
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图书简介
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
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