Emerging Resistive Switching Memories

纳米粒子阻变存储器件

材料表面与界面

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作      者
出版时间
2016年07月15日
装      帧
平装
ISBN
9783319315706
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页      码
80
语      种
英语
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图书简介
This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
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