Terrestrial neutron-induced soft errors in semiconductor memory devices are currently a major concern in reliability issues. Understanding the mechanism and quantifying soft-error rates are primarily crucial for the design and quality assurance of semiconductor memory devices. This book covers the relevant up-to-date topics in terrestrial neutron-induced soft errors, and aims to provide succinct knowledge on neutron-induced soft errors to the readers by presenting several valuable and unique features. Key Features • A comprehensive and in-depth treatment of the topics, ranging from terrestrial neutron measurement to simulation method of soft-error rates of semiconductor memory devices • The first systematic description of neutron-induced soft errors from the experimental and theoretical viewpoints • Contributions from experts in the fields of neutron detection technology, accelerator neutron physics, soft-error mechanism, semiconductor device technology • The most recent scenario in international standardization of soft-error testing methods is introduced

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